半導体装置、および半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-120122
公開番号（公開出願番号）：特開2015-019057
出願日： 2014年06月11日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に良好な電気特性を付与する。または信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成する工程と、酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、酸化物半導体層、ソース電極、およびドレイン電極上に、絶縁膜および導電膜をこの順番で成膜する工程と、導電膜および絶縁膜の一部をエッチングしてゲート電極およびゲート絶縁層を形成し、且つ、ソース電極およびドレイン電極の上部の一部をエッチングしてソース電極およびドレイン電極の構成元素を含む第1の被覆層をゲート絶縁層の側面に接して形成する工程と、第1の被覆層を酸化させて、第2の被覆層を形成する工程と、第2の被覆層上に、酸化物を含む保護絶縁層を成膜する工程と、を有する方法により半導体装置を作製する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極上に、絶縁膜および導電膜をこの順番で成膜する工程と、前記導電膜および前記絶縁膜の一部をエッチングしてゲート電極およびゲート絶縁層を形成し、且つ、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部の一部をエッチングして前記ソース電極および前記ドレイン電極の構成元素を含む第1の被覆層を前記ゲート絶縁層の側面に接して形成する工程と、前記第1の被覆層を酸化させて、第2の被覆層を形成する工程と、前記第2の被覆層上に、酸化物を含む保護絶縁層を成膜する工程と、を有する、半導体装置の作製方法。

IPC (11件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (8件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (185件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF06 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF26 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH10 , 4M104HH12 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD06 , 5F083AD69 , 5F083EP22 , 5F083EP75 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA08 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F101BA17 , 5F101BD13 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BF01 , 5F101BF02 , 5F101BF03 , 5F101BF09 , 5F101BG09 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA12 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE33 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM04 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-121639 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-226351 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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