半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121639
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016782
出願日： 2012年05月29日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜において、前記チャネル形成領域を挟んで前記チャネル形成領域より抵抗が低く、金属元素及びドーパントを含む低抵抗領域を形成し、前記低抵抗領域は、前記酸化物半導体膜と接して前記金属元素を含む膜を形成し、前記酸化物半導体膜と前記金属元素を含む膜とを接した状態で加熱処理を行って前記金属元素を含む膜から前記酸化物半導体膜に金属元素を導入する工程、及び前記金属元素を含む膜を通過して前記酸化物半導体膜に前記ドーパントを導入する工程によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (16件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 27/105 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/146 , G02F 1/136 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , C23C 14/08 , C23C 14/58 , H01L 21/425 , H01L 21/385

FI (15件)：

H01L29/78 616L , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L27/10 441 , H01L29/78 371 , H01L27/14 C , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , C23C14/08 K , C23C14/58 Z , H01L21/425 , H01L21/385

Fターム (191件)：

2H092GA43 , 2H092GA48 , 2H092GA50 , 2H092GA55 , 2H092GA60 , 2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA35 , 2H092JA43 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092JB58 , 2H092KA08 , 2H092KA12 , 2H092KA19 , 2H092KA22 , 2H092KB05 , 2H092KB14 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA26 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 2H092QA07 , 2H092QA09 , 2H092QA13 , 2H092QA14 , 3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107EE04 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029FA07 , 4K029GA00 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CB06 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB24 , 5F083AD49 , 5F083AD69 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP56 , 5F083ER21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F101BA17 , 5F101BA19 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BC20 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD32 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF09 , 5F110AA03 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110CC08 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN13 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-261878 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法並びに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-050741 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-236149 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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