半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福岡昌浩 , 阿仁屋節雄 , 清野仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-165158
公開番号（公開出願番号）：特開2015-035477
出願日： 2013年08月08日
公開日（公表日）： 2015年02月19日
要約：

【課題】高い制御性で高濃度に炭素が添加された薄膜を形成する。【解決手段】基板に対して1分子中に少なくとも2つのシリコンを含み、さらに炭素およびハロゲン元素を含みSi-C結合を有する原料ガスを供給する工程と、基板に対して窒素または酸素のいずれかである所定元素を含む改質ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に、シリコン、炭素および所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板に対して1分子中に少なくとも2つのシリコンを含み、さらに炭素およびハロゲン元素を含みSi-C結合を有する原料ガスを供給する工程と、前記基板に対して窒素または酸素のいずれかである所定元素を含む改質ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、炭素および前記所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/455 , C23C 16/42

FI (5件)：

H01L21/318 B , H01L21/316 C , H01L21/31 C , C23C16/455 , C23C16/42

Fターム (40件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030BA37 , 4K030BA41 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030HA01 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC02 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045DP19 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F058BA08 , 5F058BC08 , 5F058BC10 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-058938 出願人：株式会社日立国際電気
特開平1-195277
半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-057100 出願人：株式会社日立国際電気, レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-058938 出願人：株式会社日立国際電気
特開平1-195277
半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-057100 出願人：株式会社日立国際電気, レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

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