特許
J-GLOBAL ID：201403047294824806

半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

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水野 謙和

水野 謙和 について

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柳田 和孝

柳田 和孝 について

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大窪 清吾

大窪 清吾 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について

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レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-057100
公開番号（公開出願番号）：特開2014-183218
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】薄膜中の炭素濃度を高めたり精度よく制御したりする。【解決手段】 基板に対してシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みSi-C結合を有する原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に、シリコン、酸素および炭素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板に対してシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みSi-C結合を有する原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、 前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、 を含むサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素および炭素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (2件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/42
Fターム (19件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA41 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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