特許
J-GLOBAL ID：201503077091042741

塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者：
安立 由香子

安立 由香子 について

, 
市川 幸司

市川 幸司 について

, 
安江 崇裕

安江 崇裕 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-215117
公開番号（公開出願番号）：特開2015-107956
出願日： 2014年10月22日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：
【課題】良好なマスクエラーファクター(MEF)でレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供する。【解決手段】[式(I)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH2-は、-O-又は-CO-で置き換わっていてもよい。m及びnは、それぞれ独立に、1又は2を表す。mが2のとき、2つのR1は同一又は相異なり、nが2のとき、2つのR2は同一又は相異なる。Arは、置換基を有していてもよい炭素数6〜36の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数6〜36のヘテロ芳香族炭化水素基を表す。A-は、有機アニオンを表す。]【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I)で表される塩。
IPC (6件)：
C07D 339/08 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  C07C 309/17 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
C07D339/08 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  C07C309/17 ,  H01L21/30 502R
Fターム (34件)：
2H125AF16P ,  2H125AF27P ,  2H125AF35P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF70P ,  2H125AH04 ,  2H125AH05 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM99P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN45P ,  2H125AN54P ,  2H125BA02P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4C023PA07 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81
引用特許：
審査官引用 (3件)

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