特許
J-GLOBAL ID：201503081134371695

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
安藤 裕二

安藤 裕二 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-197426
公開番号（公開出願番号）：特開2015-065241
出願日： 2013年09月24日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：
【課題】高電子移動度トランジスタの特性を向上させる。【解決手段】n型のコンタクト層(n型のAlGaN層)CL、電子供給層(アンドープのAlGaN層)ESおよびチャネル層(アンドープのGaN層)CHの積層体を、[0001]結晶軸方向に平行なGa面での成長モードにて形成する。そして、この積層体を、n型のコンタクト層(n型のAlGaN層)CL側が上面となるように反転させ、溝Tを形成した後、ゲート絶縁膜GIを介してゲート電極GEを形成する。このように、[000-1]方向に、チャネル層(アンドープのGaN層)CHと電子供給層(アンドープのAlGaN層)ESとを順に積層することにより、(1)ノーマリオフ動作と(2)高耐圧化の両立が容易となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)第1窒化物半導体層上に、第2窒化物半導体層を[0001]方向にエピタキシャル成長させることにより、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層とを有する積層体を形成する工程、 (b)前記積層体の[000-1]方向が上向きとなるように、前記積層体を配置し、前記第1窒化物半導体層側にゲート電極を形成する工程、 を有し、 前記第1窒化物半導体層は、前記第2窒化物半導体層よりバンドギャップが広い、半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20
FI (10件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652E ,  H01L21/02 B ,  H01L21/20
Fターム (57件)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC07 ,  5F102GC09 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM09 ,  5F102GN04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE11 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF43 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CC02 ,  5F140CC11 ,  5F140CE02 ,  5F152LL05 ,  5F152LP01 ,  5F152LP06 ,  5F152MM05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
審査官引用 (6件)
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