特許

J-GLOBAL ID：201503085909922516

III族窒化物半導体基板

発明者： 生田 哲也 ,  柴田 智彦
出願人/特許権者： DOWAエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-202542
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070091
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：

【課題】リーク電流の低減と電流コラプスの抑制を両立できるIII族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】基板21と、基板21上に形成されたバッファ層22と、該バッファ層22上に形成された窒化物積層体23とを備え、窒化物積層体23は、バッファ層22上に形成された、AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる第1の窒化物層23aと、AlyGa1-yN(0<y≦1)からなる第2の窒化物層23bと、AlzGa1-zN(0<z≦1)からなる第3の窒化物層23cとを含む積層構造を有し、第1の窒化物層23aの炭素濃度は第2の窒化物層23bの炭素濃度よりも高く、第2の窒化物層23bの炭素濃度は第3の窒化物層23cの炭素濃度よりも高く、第3の窒化物層23cの炭素濃度は9×1015atoms/cm3以上2.5×1016atoms/cm3以下であり、各窒化物層間の炭素濃度の差が適切な範囲に調整されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 該基板上に形成されたバッファ層と、 該バッファ層上に形成された窒化物積層体と、 を備え、 前記窒化物積層体は、前記バッファ層上に形成された、AlxGa1-xN(0<x≦1)からなる第1の窒化物層と、該第1の窒化物層上に形成された、AlyGa1-yN(0<y≦1)からなる第2の窒化物層と、該第2の窒化物層上に形成された、AlzGa1-zN(0<z≦1)からなる第3の窒化物層とを含む積層構造を有し、 前記第1、第2および第3の窒化物層のそれぞれが炭素を含むとともに、前記第1の窒化物層の炭素濃度は前記第2の窒化物層の炭素濃度よりも高く、前記第2の窒化物層の炭素濃度は前記第3の窒化物層の炭素濃度よりも高く、 前記第3の窒化物層の炭素濃度は9×1015atoms/cm3以上2.5×1016atoms/cm3以下であり、 前記第3の窒化物層の炭素濃度と前記第2の窒化物層の炭素濃度との差は4.5×1015atoms/cm3以上3.5×1016atoms/cm3以下であり、 前記第2の窒化物層の炭素濃度と前記第1の窒化物層の炭素濃度との差は1.2×1017atoms/cm3以上3.5×1018atoms/cm3以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205

Fターム (26件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01