特許
J-GLOBAL ID：201503087007568216

炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
堀井 拓

堀井 拓 について

, 
増田 健良

増田 健良 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-163407
公開番号（公開出願番号）：特開2015-032788
出願日： 2013年08月06日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：
【課題】高温下においても平坦性の高い炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基板10は、外径が100mm以上である主面1Aを有し、単結晶炭化珪素からなるベース基板1と、主面1A上に形成されたエピタキシャル層2と、ベース基板1において主面1Aの反対側に位置する裏面1B上に形成された変形抑制層8とを備える。このようにすれば、変形抑制層8によって基板の変形(たとえば高温処理時における基板の反り)が抑制される。これにより、炭化珪素半導体基板10を用いて炭化珪素半導体装置の製造方法を実施する際に、当該製造プロセス中において炭化珪素半導体基板10に割れ等の異常が発生するリスクを低減することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
外径が100mm以上である主面を有し、単結晶炭化珪素からなるベース基板と、 前記主面上に形成されたエピタキシャル層と、 前記ベース基板において前記主面の反対側に位置する裏面上に形成された変形抑制層とを備える、炭化珪素半導体基板。
IPC (7件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265
FI (8件)：
H01L21/20 ,  H01L29/78 652Z ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 Z
Fターム (13件)：
5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF02 ,  5F045BB11 ,  5F045HA11 ,  5F152LL03 ,  5F152LN05 ,  5F152MM04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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