特許
J-GLOBAL ID:201503090097125750
太陽電池及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 鶴田 準一
, 南山 知広
, 河合 章
, 中村 健一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-139004
公開番号(公開出願番号):特開2015-015472
出願日: 2014年07月04日
公開日(公表日): 2015年01月22日
要約:
【課題】本発明は、優れた特性及び高い生産性を有する太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の実施例に係る太陽電池は、半導体基板と、前記半導体基板の一面上に形成されるトンネル層と、前記トンネル層上に形成される第1導電型半導体層と、前記トンネル層上に形成される第2導電型半導体層と、を含み、前記トンネル層上において前記第1及び第2導電型半導体層の境界部分の少なくとも一部に、前記第1及び第2導電型半導体層を分離する分離部分が位置する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、
前記半導体基板の一面上に形成されるトンネル層と、
前記トンネル層上に形成される第1導電型半導体層と、
前記トンネル層上に形成される第2導電型半導体層と、を含み、
前記トンネル層上において前記第1及び第2導電型半導体層の境界部分の少なくとも一部に、前記第1及び第2導電型半導体層を分離する分離部分が位置する、太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
5F151AA03
, 5F151AA04
, 5F151AA05
, 5F151AA16
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151DA04
, 5F151DA10
, 5F151DA20
, 5F151GA04
, 5F151GA12
, 5F151HA03
, 5F151HA07
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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