特許
J-GLOBAL ID:201503090893819888

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 井上 学 ,  戸田 裕二 ,  岩崎 重美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-164671
公開番号(公開出願番号):特開2015-035863
出願日: 2013年08月08日
公開日(公表日): 2015年02月19日
要約:
【課題】並列間の電流分担の不均等を、発生してからできるだけ早い段階から低減できる電力変換装置を提供する。 【解決手段】上下一対のMOSFETを有する半導体モジュールを1相内で複数並列接続したスイッチング回路を有し、直流と交流とを変換する電力変換装置において、各々の前記半導体モジュールの交流側の電流を検出する電流検出部と、前記電流検出部で検出した電流に応じて、前記MOSFETのオンおよびオフを制御するゲート制御部とを有し、前記ゲート制御部は、前記MOSFETの何れかに環流電流が流れる環流モードの期間において、前記電流検出部で検出した電流の小さい方の半導体モジュールの環流モードとなる側のMOSFETのオンしている時間を前記電流検出部で検出した電流の大きい方の半導体モジュールの環流モードとなる側のMOSFETのオンしている時間よりも長くする。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
上下一対のMOSFETを有する半導体モジュールを1相内で複数並列接続したスイッチング回路を有し、直流と交流とを変換する電力変換装置において、 各々の前記半導体モジュールの交流側の電流を検出する電流検出部と、 前記電流検出部で検出した電流に応じて、前記MOSFETのオンおよびオフを制御するゲート制御部とを有し、 前記ゲート制御部は、前記MOSFETの何れかに環流電流が流れる環流モードの期間において、前記電流検出部で検出した電流の小さい方の半導体モジュールの環流モードとなる側のMOSFETのオンしている時間を前記電流検出部で検出した電流の大きい方の半導体モジュールの環流モードとなる側のMOSFETのオンしている時間よりも長くすることを特徴とする電力変換装置。
IPC (2件):
H02M 7/48 ,  H02M 7/493
FI (2件):
H02M7/48 E ,  H02M7/493
Fターム (10件):
5H007AA07 ,  5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC05 ,  5H007CC07 ,  5H007DB02 ,  5H007DB13 ,  5H007DC02
引用特許:
出願人引用 (6件)
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