半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-156831
公開番号（公開出願番号）：特開2013-238882
特許番号：特許第5674875号
出願日： 2013年07月29日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上の第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体と離間して設けられた第2の絶縁体と、前記半導体膜と重なる領域を有する、ソース電極及びドレイン電極と、前記第1の絶縁体を介して前記半導体膜と重なる領域を有する遮光膜と、前記第2の絶縁体と重なる領域を有するソース線と、を有し、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記遮光膜と、前記ソース線とは、同一の導電膜を加工する工程を経て形成されたものであり、前記第1の絶縁体と、前記第2の絶縁体とは、同一の絶縁膜を加工する工程を経て形成されたものであり、前記半導体膜のうち前記遮光膜と重なる領域は、チャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：