特許
J-GLOBAL ID：201503095607910166

SOIウェーハの製造方法

発明者：
岡部 秀光

岡部 秀光 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： アセンド特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200818
公開番号（公開出願番号）：特開2015-070013
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：
【課題】SOI層の厚さの面内均一性を向上させることができるSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】この製造方法は、支持ウェーハと活性層用ウェーハとを貼り合わせた貼り合わせウェーハを、吸着盤の吸着面に吸着保持して、活性層用ウェーハの被研磨面を研磨する第1の一次研磨工程(S5)と、この貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハについて、中心部の厚さと周縁部の厚さとを測定する第1の活性層用ウェーハ厚さ分布測定工程(S6)と、この測定結果に基づき、吸着面を、凸面または凹面になるように研磨する第1の保持面形状調整工程(S7)と、この研磨された吸着面に貼り合わせウェーハを吸着保持させて被研磨面を研磨する第2の一次研磨工程(S8)とを含む。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
活性層用ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して貼り合せて貼り合わせウェーハを得た後、前記活性層用ウェーハの表面を研磨処理して薄膜化する貼り合わせSOIウェーハの製造方法において、 前記貼り合わせの後の前記支持ウェーハの表面を、保持盤の保持面に吸着保持して、前記活性層用ウェーハの表面である被研磨面を研磨する第1研磨処理工程と、 前記第1研磨処理工程後の前記支持ウェーハの表面を、保持盤の保持面に吸着保持して、前記活性層用ウェーハの前記被研磨面を研磨する第2研磨処理工程と、 前記第1研磨処理工程後で前記第2研磨処理工程前の前記活性層用ウェーハの厚さ分布を測定する活性層用ウェーハ厚さ分布測定工程と、 前記活性層用ウェーハ厚さ分布測定工程の測定結果に基づき、前記第2研磨処理工程で使用する前記保持盤の前記保持面の形状を調整する保持面形状調整工程と、 を含むことを特徴とするSOIウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/10
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 622R ,  B24B37/04 G
Fターム (13件)：
3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17 ,  5F057AA02 ,  5F057AA05 ,  5F057BA20 ,  5F057CA36 ,  5F057DA02 ,  5F057DA08 ,  5F057GA11 ,  5F057GB02 ,  5F057GB13
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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