半導体発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200582
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013938
特許番号：特許第5694476号
出願日： 2013年09月26日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n形半導体層と、電極と、前記n形半導体層と前記電極との間に設けられ、前記電極に接するp側コンタクト層を含むp形半導体層と、前記n形半導体層と前記p形半導体層との間に設けられた発光層と、を備え、前記p側コンタクト層は、第1領域と、前記n形半導体層から前記p形半導体層に向かう第1方向に対して垂直な平面内に分散された複数の第2領域と、を含み、前記複数の第2領域におけるMg濃度は、2.5〜3原子パーセントであり、前記第1領域におけるMgの濃度の2倍以上であり、前記複数の第2領域の前記平面内における密度は、5×107個/cm2以上、2×108個/cm2以下であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：