特許
J-GLOBAL ID:201503096679819046

電極構造及びそれを有する発光ダイオード構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-270876
公開番号(公開出願番号):特開2015-082656
出願日: 2013年12月27日
公開日(公表日): 2015年04月27日
要約:
【課題】発光ダイオード構造の信頼性、安定性を向上させ、パッド、N型半導体層、発光層及びP型半導体層の電流密度の最大許容値を向上させることができる電極構造を提供する。【解決手段】電極構造は、少なくとも1つの反射層と、障壁層と、パッドと、を備える。障壁層は、反射層上に順次積み重ねられた、異なる材料からなる第1障壁層及び第2障壁層を含む。パッドは、障壁層上に位置する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
少なくとも1つの反射層と、 前記反射層上に順次積み重ねられた、異なる材料からなる第1障壁層及び第2障壁層を含む障壁層と、 前記障壁層上に位置するパッドと、 を備える電極構造。
IPC (2件):
H01L 33/38 ,  H01L 33/10
FI (2件):
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 130
Fターム (16件):
5F141AA43 ,  5F141AA44 ,  5F141CA04 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CB15 ,  5F241AA43 ,  5F241AA44 ,  5F241CA04 ,  5F241CA12 ,  5F241CA40 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CB15
引用特許:
審査官引用 (5件)
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