特許
J-GLOBAL ID：201503097382071804
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 雅直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242671
公開番号（公開出願番号）：特開2015-104208
出願日： 2013年11月25日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
要約：
【課題】スイッチング素子の過電流保護を行うとともに、安定して制御可能な半導体装置を提供する。【解決手段】センス電流を出力可能な電流センス付きのスイッチング素子21A,22Aと、これらのスイッチング素子21A,22Aにオンオフ制御を行うための共通のゲート信号Sgを出力するゲートドライバ回路9と、スイッチング素子21A,22Aより得られたセンス電流をセンス電圧Vsに変換して出力する電流検出回路3と、電流検出回路3より得られたセンス電圧Vsが予め定められた閾値よりも大きい場合に過電流検出信号So1を出力する過電流検出回路6と、過電流検出回路6に接続されており、過電流検出回路6の少なくとも何れかより過電流検出信号So1が出力される場合にオフ信号Szを出力するオフ信号出力回路93とを備えており、オフ信号Szに基づき、スイッチング素子21A,22Aのオンオフ制御を停止するように構成した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
並列に複数個が接続されており、主電流に応じたセンス電流を出力可能な電流センス付きのスイッチング素子と、
これらのスイッチング素子にオンオフ制御を行うための共通のゲート信号を出力するゲートドライバ回路と、
各スイッチング素子に対応して設けられており、スイッチング素子より得られたセンス電流をセンス電圧にそれぞれ変換して出力する電流検出回路と、
各電流検出回路に対応して設けられており、電流検出回路より得られたセンス電圧が予め定められた閾値よりも大きい場合に過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、
これらの過電流検出回路に接続されており、過電流検出回路の少なくとも何れかより過電流検出信号が出力される場合にオフ信号を出力するオフ信号出力回路とを備えており、
前記ゲートドライバ回路が、前記オフ信号出力回路より得られるオフ信号に基づき、前記ゲート信号を通じて前記スイッチング素子のオンオフ制御を停止するように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5H740BA12
, 5H740BB02
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740LL05
, 5H740MM12
出願人引用 (3件)
-
過電流保護回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-192622
出願人：株式会社デンソー
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-377430
出願人：三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-116775
出願人：富士電機株式会社
審査官引用 (3件)
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過電流保護回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-192622
出願人：株式会社デンソー
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-377430
出願人：三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-116775
出願人：富士電機株式会社
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