特許
J-GLOBAL ID：200903040439078445

半導体装置

発明者：
渡辺 学

渡辺 学 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116775
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316808
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】負荷短絡,定常的過電流のいずれに対しても絶縁ゲート型半導体素子の過電流保護を確実に行える保護機能に優れた半導体装置を提供する。【構成】過電流保護回路30を備えた駆動装置20からの駆動電圧VG により負荷電流IL をオンオフ制御する電流センス付IGBT1と、そのセンス端子E1 に接続されてセンス電流を全電圧降下Vd および分圧電圧V1 として出力する電流検出部2と、分圧電圧V1 が動作電圧VBEthを越えたとき動作して駆動電圧VG を一定レベルに低減する過電流制限回路3とをインテリジェントパワーモジュール10側に備え、前記過電流保護回路が前記センス端子に接続されて前記電流検出部の全電圧降下Vd が予め定まる動作開始電圧VOCを越えたとき動作して前記駆動電圧の出力停止を指令するオフ信号を出力するとともに、その出力側にオフ信号を一定時間遅らせる遅延回路34を設ける。
請求項（抜粋）：
過電流保護回路を有する駆動装置からの駆動電圧により負荷電流をオンオフ制御する電流センス付絶縁ゲート型半導体素子を備えた半導体装置において、この電流センス付絶縁ゲート型半導体素子のセンス端子に接続されてセンス電流を全電圧降下Vd および分圧電圧V1 に変換して出力する電流検出部と、分圧電圧が予め定まる動作電圧を越えたとき動作して前記駆動電圧を一定レベルに低減する過電流制限回路とを備え、前記過電流保護回路が前記センス端子に接続されて前記電流検出部の全電圧降下Vd が予め定まる動作開始電圧を越えたとき動作し前記駆動電圧の出力停止を指令するオフ信号を出力するとともに、その出力側にオフ信号を一定時間遅らせる遅延回路を設けたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (7件)
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