特許

J-GLOBAL ID：201503098589786745

磁性材料、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁性材料の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法

発明者： 喜多 英治 ,  柳原 英人 ,  新関 智彦
出願人/特許権者： 国立大学法人 筑波大学
代理人 (5件)： 木村 満 ,  竹内 幸子 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  石堂 毅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170655
公開番号（公開出願番号）：特開2015-041392
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：

【課題】所望の磁気特性を有し安価な材料からなる磁性材料等を提供する。【解決手段】第1シード層121は、CoXFe3-XO4の格子定数よりわずかに大きい格子定数を有するスピネル型酸化物のMg1+YTi2-YO4の単結晶膜又は高配向膜からなる。第2シード層122のMgOの(001)結晶面に対して、Mg1+YTi2-YO4の単結晶膜又は高配向膜を成膜して第1シード層121を形成する。更にMg1+YTi2-YO4の(001)結晶面に対して、CoXFe3-XO4の単結晶膜又は高配向膜を成膜して磁性層13を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

CoXFe3-XO4の格子定数より大きく、且つ、前記CoXFe3-XO4の(001)結晶面に対する格子不整合が所定の範囲以内の格子定数を有するスピネル型酸化物の単結晶膜又は高配向膜からなる第1シード層と、 前記第1シード層の前記スピネル型酸化物の(001)結晶面に対して成膜した、CoXFe3-XO4の単結晶膜又は高配向膜からなる磁性層と、 を有することを特徴とする磁性材料。

IPC (7件)：

G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/851 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (7件)：

G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01L43/08 Z

Fターム (26件)：

5D006BB05 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA00 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA05 ,  5D112BB04 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049GC08 ,  5F092AB02 ,  5F092AC04 ,  5F092AC06 ,  5F092AD23