特許

J-GLOBAL ID：201503098872478674

ZnOナノロッドアレイへのレーザー溶融による電極形成方法

発明者： 市川 洋 ,  廣芝 伸哉
出願人/特許権者： 国立大学法人 名古屋工業大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-263145
公開番号（公開出願番号）：特開2015-117171
出願日： 2013年12月20日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

【課題】簡便な方法でロッド状の酸化亜鉛微粒子を基板上に配向させ、微粒子端面に電極を形成する。【解決手段】基板上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、該薄膜を核として、亜鉛塩水溶液に塩基を加えて基板面に垂直に配向したロッド状の酸化亜鉛微粒子を複数形成し、配向した酸化亜鉛微粒子の端面にレーザーを照射して端面近傍を溶融させ、連続的な端面を形成する。さらに、ロッド状酸化亜鉛微粒子の連続的な端面に、金属あるいは合金からなる電極膜を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に酸化亜鉛の薄膜を形成し、該薄膜を核として、亜鉛塩水溶液に塩基を加えて基板面に垂直に配向したロッド状の酸化亜鉛微粒子を複数形成し、配向した酸化亜鉛微粒子の端面にレーザーを照射して端面近傍を溶融させ、連続的な端面を形成するロッド状酸化亜鉛微粒子への電極形成方法。

IPC (2件)：

C01G 9/02 ,  H01G 9/20

FI (2件)：

C01G9/02 B ,  H01G9/20 111C

Fターム (6件)：

4G047AA02 ,  4G047AB01 ,  4G047AB02 ,  4G047AB04 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04