特許

J-GLOBAL ID：201503099796633742

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： 酒井 光彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170561
公開番号（公開出願番号）：特開2015-041638
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：

【課題】オン抵抗を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】第1の主面10aと、第2の主面10bとを有する炭化珪素半導体基板10が準備される。炭化珪素半導体基板10の第1の主面10aに接し、かつ炭化珪素半導体基板10とオーミック接合する第1の電極16が形成される。炭化珪素半導体基板10の第2の主面10b側の少なくとも一部が除去される。炭化珪素半導体基板10の少なくとも一部が除去されることにより露出した炭化珪素半導体基板10の第2の主面10bに接し、かつ炭化珪素半導体基板10とオーミック接合する第2の電極20が形成される。第2の電極20の第4の主面20bと電気的に接触する金属層22が形成される。金属層22の厚みは、炭化珪素半導体基板10の少なくとも一部が除去された後の炭化珪素半導体基板10の厚みよりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素半導体基板を準備する工程を備え、 前記炭化珪素半導体基板は、前記第2の主面をなす炭化珪素単結晶基板と、前記炭化珪素単結晶基板に接して設けられ、かつ前記第1の主面をなす炭化珪素エピタキシャル層とを含み、さらに、 前記炭化珪素半導体基板の前記第1の主面に接し、かつ前記炭化珪素半導体基板とオーミック接合する第1の電極を形成する工程と、 前記炭化珪素半導体基板の前記第2の主面側の少なくとも一部を除去する工程と、 前記炭化珪素半導体基板の前記第2の主面側の少なくとも一部を除去する工程により露出した前記炭化珪素半導体基板の前記第2の主面に接する第3の主面と、前記第3の主面と反対側の第4の主面とを有し、かつ前記炭化珪素半導体基板とオーミック接合する第2の電極を形成する工程と、 前記第2の電極の前記第4の主面と電気的に接触する金属層を形成する工程とを備え、 前記金属層の厚みは、前記炭化珪素半導体基板の前記第2の主面側の少なくとも一部を除去する工程後の前記炭化珪素半導体基板の厚みよりも大きい、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/41

FI (12件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 B ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 L ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/44 L

Fターム (18件)：

4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB17 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD75 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-182750   出願人：パナソニック株式会社
• SiC半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-077213   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-207442   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-271648   出願人：株式会社デンソー