特許
J-GLOBAL ID：201503099910208950

固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器

発明者：
渡部 泰一郎

渡部 泰一郎 について

, 
古閑 史彦

古閑 史彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 稲本 義雄 ,  西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-220141
公開番号（公開出願番号）：特開2015-082592
出願日： 2013年10月23日
公開日（公表日）： 2015年04月27日
要約：
【課題】画素の微細化を可能とし、裏面照射型にも適用可能な構造を実現する。【解決手段】画素内の光電変換部により生成された電荷を電荷蓄積部へ転送する第1転送トランジスタのゲート電極が、半導体基板界面から所定の深さまで埋め込まれて形成されている。電荷蓄積部は、半導体基板内に埋め込まれている第1転送トランジスタのゲート電極の側壁に沿って深さ方向に伸びた縦長形状で形成されている。本技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像素子等に適用できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
受光量に応じた電荷を生成し、蓄積する光電変換部と、 前記光電変換部により生成された電荷を蓄積する電荷蓄積部と、 前記光電変換部の電荷を前記電荷蓄積部へ転送する第1転送トランジスタと、 前記電荷を信号として読み出すために保持する電荷保持部と、 前記電荷蓄積部の電荷を前記電荷保持部へ転送する第2転送トランジスタと を有する画素を備え、 前記第1転送トランジスタのゲート電極は、半導体基板界面から所定の深さまで埋め込まれて形成されており、 前記電荷蓄積部は、前記半導体基板内に埋め込まれている前記第1転送トランジスタのゲート電極の側壁に沿って深さ方向に伸びた縦長形状で形成されている 固体撮像素子。
IPC (6件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H04N 5/369 ,  H04N 5/374
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01L29/58 G ,  H04N5/335 690 ,  H04N5/335 740
Fターム (38件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD15 ,  4M104DD26 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF11 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA24 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GB03 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  5C024CX37 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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