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J-GLOBAL ID：201602000793148906   整理番号：65A0167480

薄膜回路におけるニッケルークロム膜の温度測定法

A technique for measuring the temperature of nickelchromium films in thin film circuits

著者 (3件)： PARMEE J L ,  GILES D C ,  RUSSELL R F
資料名： Microelectron Reliab  (Electronics Reliability & Microminiaturization)
巻： 4  号： 3  ページ： 295-299  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 薄膜回路の動作時にニッケーグふ膜よこりなる抵抗体の温度測定を行った。抵抗ブリクジ法で測定すれば上2°Cの精度で測定でき,下地・よび容器の熱放散を求めることができる。100°C,3000時間の寿命試験K対し,標準のニクケルークロム薄膜抵抗は,0.01旡/1000時間の変化をすることが分った。ニタケルータロム薄膜抵抗は,合金塊の時の抵抗と次の二点で異っている。・電子の自由行程を膜厚が同程度であるから,比抵抗が10-4Ω-cmよりかなり高くなる。・トンネル効果による場合の温度係数が小さい;写2図5表1

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜回路 ,  温度測定