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J-GLOBAL ID：201602003548174070   整理番号：72A0031513

半絶縁性GaAs基板ヘプラズマスパッタ法によりつけたGe薄膜の性質

Some properties of Ge films prepared by plasma sputtering on semi-insulating GaAs substrates.

著者 (4件)： RYBKA V ,  KREJCI P ,  DUDROVA E ,  SEVCIK Z
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol III  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.3)
ページ： 239-246  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700153  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長速度0.2-2μ/hでGe薄膜を得た。基板温度は480~830kにわたり,膜の構造は反射電子回折で調べた。その結果,構造はエピタクシー多結晶,非晶質と製作条件に依存して変化しすべての膜はP型であった。ホール係数,電気伝導度,移動度の温度依存性,基板温度依存性も測定された。ホール移動度は最大300面/Vsec位であった;写図7参9

シソーラス用語： エピタクシー ,  ゲルマニウム ,  薄膜
準シソーラス用語： GaAs ,  スパッタ膜

タイトルに関連する用語 (6件)： 半絶縁性 ,  GaAs基板 ,  プラズマスパッタ法 ,  Ge ,  薄膜 ,  性質