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J-GLOBAL ID：201602004716226223   整理番号：74A0233651

電子材料の表面評価のためのレーザ走査技術

A laser scan technique for electronic materials surface evaluation.

著者 (2件)： OSWALD D R ,  MUNRO D F
資料名： J Electron Mater  (Journal of Electronic Materials)
巻： 3  号： 1  ページ： 225-242  発行年： 1974年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超小形電子回路に用いられる板状の材料や薄膜材料の表面を評価するために走査形レーザビームを用いた技術を開発した。透明基板上に形成した透明膜中の望ましくない穴は,この穴を透過してくる光を検出して検出することができ,反射性表面の欠陥はその光の散乱特性から検出できる。Siウェハについて実験した結果,1μの小さな欠陥でも検出が可能である。直径5cmのウェハ全体を40sで走査でき,全欠陥数が測定でき,欠陥の位置がオシロスコープ上に表示される;写図9参12

シソーラス用語： レーザ応用 ,  欠陥検査 ,  集積回路 ,  薄膜
準シソーラス用語： ウェハ【IC】

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子材料 ,  評価 ,  レーザ走査