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J-GLOBAL ID：201602005824633770   整理番号：70A0033179

CeO₂をもとにした誘電体薄膜

Диэлектрические пленки и а основе дву о ки си церия.

著者 (3件)： ЗЛИЧКПН Н Н ,  САЧАВСКНЙ А Ф ,  АФАНАСЬЕВ К Л
資料名： Izv Vyssh Uchebn Zaved Fi  (Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenij. Fizika)
巻： 13  号： 2  ページ： 156-158  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0145A  ISSN： 0021-3411  CODEN： IVUFA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： Ai-CeO,-A1-構造の容最,誘電率,誘電損失tgδを測定した。f=1-5k(セにおけるtgδの室温一150°Cにおける温度変化をいろいろな熱処理した試料で研究した;写図2表1参5

シソーラス用語： 誘電損失 ,  誘電率 ,  容量
準シソーラス用語： Al-CeO₂-Al ,  CeO₂

タイトルに関連する用語 (2件)： もと ,  誘電体薄膜