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J-GLOBAL ID：201602007588706321   整理番号：71A0241082

エミッターバースと送電流ストレスによるh,,劣化の機構について

On the mechanism of h FE degradation by emitter-base reverse current stress.

著者 (1件)： VERINEY J F
資料名： Microelectron Reliab  (Electronics Reliability & Microminiaturization)
巻： 9  号： 5  ページ： 425-432  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アレーナトランジスタのエミッターベース接合の逆破壊による電流利得老化について研究した。試料には,エミッターベース接合上に電界板を置いたNPN素子を用いた。実験結果を説明するモデルを提案した。これは,エミッターベース接合周辺にそった酸化層になだれ破壊によって生成された熱いキャリヤが侵入し,Si-SiO₂,界面に再結合中心を生成するというものである。このモデルによって,電界板に正のバイアスを加えたときの酸化層における負電荷の増大,および負バイアスの場合の,なだれ破壊がベース電流-ゲート電圧曲線における最大を生じる現象を説明できる;写図9参23

シソーラス用語： トランジスタ
準シソーラス用語： エミッターペース逆電流 ,  なだれ破壊 ,  なだれ破壊(トランジスタ) ,  電流利得劣化 ,  電流利得劣化(トランジスタ)

タイトルに関連する用語 (2件)： 送 ,  電流ストレス