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J-GLOBAL ID：201602010995254398   整理番号：71A0045846

スライシング,ラッピング,ポリッシング操作によるシリコンの結晶学的損傷

Crystallographic damage to silicon by typical slicing. lapping. and polishing operations.

著者 (2件)： BUCK T M ,  MEEK R L
資料名： Proc Symp Silicon Device Process Gaitherburg  (Proceedings Symposium on Silicon Device Processing 700602)
ページ： 419-430  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700063  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン表面の加工層の損傷を結晶学的に解析。電子顕微鏡によるシリコン表面の観察結果.PMEレゾナンス.ESRの測定データを示し,表面損傷の処理法の違いによる影響を比較した。それによリインゴットのスラィシング法の検討,研摩損傷の良好な除去法を提案した。またダイヤモンド,アルミナによるポリッシングの場合,損傷は光物性には表われず電子顕微鏡でわかる。これらはシリカゾルを使えばなくなる。イオン・バック・スキヤダリングの測定結果からもわかる;写図9表1参83

シソーラス用語： 研摩 ,  損傷 ,  電子顕微鏡観察 ,  表面処理 ,  表面状態
準シソーラス用語： シリコン ,  結晶表面 ,  電子顕微鏡法

タイトルに関連する用語 (6件)： スライシング ,  ラッピング ,  ポリッシング ,  シリコン ,  結晶学 ,  損傷