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J-GLOBAL ID：201602011424887705   整理番号：71A0371156

窒素中でグロー放電処理して得られたAl表面の絶縁膜

著者 (3件)： 上村揚一郎 (無機材研) ,  田中耕二 (無機材研) ,  岩田稔 (無機材研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 40  号： 5  ページ： 572-575  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 金属一絶縁膜一金属の構造をしたダイオードを作り,絶縁薄膜の電気的性質を調べた.絶縁膜としては真空蒸着したAl表面を窒素の中でグロー放電処埋して得られたものを用いた,上部電極としてAuを使用した試料について直流電流-電圧特性を2つの方法で測定した.1つは試料が高抵抗状態にある場合で,この時は電流(I)が電圧(V)に対しI=αVexp(βV)の依存性をもつことがわかった.他の1つの方法は試料にある程度高い電圧を印加して行なうもので,この場合には酸化膜で報告されている負性抵抗と似た現象が見られた.ただし,酸化膜の場合とは異なる点もありこれらが同一の現象とは未だ断定できない.絶縁膜の構造を電子線回折で検討した:参9

引用文献 (9件)：

• 1) G. W. Lewicki and C. A. Mead: Appl. Phys. Letters 8 (1966) 98.
• 2) T. W. Hickmott: J. appl. Phys. 33 (1962) 2669.
• 3) J. G. Simmons and R. R. Verderber: Proc. Roy. Soc. A 301 (1967) 77.
• 4) R. Pinto and M. Shaha: Japan J. appl. Phys. 7 (1968) 1542.
• 5) J. Bernard, G. Delacote and Y. Mentalecheta: phys. stat. sol. 31 (1969) 315.

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素 ,  グロー放電 ,  Al ,  絶縁膜