抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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高純度のシリコンとカーボンから出発し,SiCにAlをドープして一定温度でドープ量の異なる試料を作り,高純度での結果と比較することによりAlの影響を検討した.2000~2400°CにおいてSiCの基本的なポリタイプの安定性において,Alは4Hを安定化する.Alの濃度の上下によって4H→6Hの変化が可逆的に起る.Alは4Hの格子をc軸方向に伸長させ,高温での安定性を増加させる.Alの影響は低温の方が顕著である.15Rは高純度での結果と同様,準安定である:参19