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J-GLOBAL ID：201602200118136035   整理番号：16A0380171

14nm FinFET回路のエージングと製品検証における物理学機構と形状依存性の考察

Considering Physical Mechanisms and Geometry Dependencies in 14nm FinFET Circuit Aging and Product Validations

著者 (15件)： PAE S. W. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  SAGONG H. C. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  LIU C. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  JIN M. J. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM Y. H. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHOO S. J. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM J. J. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM H. J. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  YOON S. Y. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  NAM H. W. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  SHIM H. W. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK S. M. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK J. K. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  SHIN S. C. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK J. W. (Samsung Electronics Co. Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 557-560  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 14nm FinpMOSFETの信頼性を特性化し,信頼性に関する物理学機構と形状依存性を考察した。SPICEを用いたモデリングを行い,自己発熱に沿ってバイアス温度不安定性,ホットキャリア注入可変性を検討した。加速係数を増し,製品の高温動作試験の最適化により,時間的効率を5~10倍にできることを示した。更に,ウエハが曲げられた際のFinFET信頼性に及ぼす外部機械歪の影響も検討した。正確なトランジスタ信頼性モデルは予測にとって重要である。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *FET【トランジスタ】 ,  *信頼性 ,  *経時変化 ,  機構 ,  物理学 ,  モデリング ,  加熱 ,  不安定性 ,  ホットキャリア ,  キャリア注入 ,  加速試験 ,  高温試験 ,  歪 ,  最適化 ,  依存性
準シソーラス用語： *FinFET ,  pMOSFET ,  バイアス温度不安定性 ,  形状依存性 ,  自己発熱 ,  半導体物理学

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  エージング ,  検証 ,  物理学 ,  形状依存性