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J-GLOBAL ID：201602200441187137   整理番号：16A0380186

実験によるCET=0.98nm,SS_for=42mV/dec,SS_rev=28mV/dec,スイッチ-OFF<0.2V,およびヒステリシスフリーな方法を用いた強誘電性HfZrO_x FETに関する見通し

Prospects for Ferroelectric HfZrOx FETs with Experimentally CET=0.98nm, SS_for=42mV/dec, SS_rev=28mV/dec, Switch-OFF <0.2V, and Hysteresis-Free Strategies

著者 (14件)： LEE M. H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN P.-G. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN P.-G. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU C. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHU K-Y. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHENG C.-C. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  XIE M.-J. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  LIU S.-N. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  LEE J.-W. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG S.-J. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  LIAO M.-H. (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  TANG M. (PTEK Technol. Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LI K.-S. (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHEN M.-C. (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 616-619  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.98CET(キャパシタンス等価厚み)を有する強誘電HfZrO_x FETを実証した。標準6-インチMOSベースラインを採用し,Si基板上にALD(原子層成長)によりHfZrO_x(HZO)薄膜を設けた。XPS(X-線光電子スペクトロスコピー)により,HfO₂:ZrO₂=1:1の原子比(ALD)サイクルプロセスと一致する組成比Hf1:Zr:O=1:1:4を確認した。作製した強誘電性HfZrO_x FETを室温および150Kで動作させ,Boltzmannティラニ-物理的限界m=1.00を超越し,そしてV_DS=0.1および0.5vのときにそれぞれボディファクタm=0.67と0.89を示して負性容量効果を確認した。ヒステリシスフリーな特性を実現するための方策は二つある。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *強誘電体 ,  *容量電圧特性 ,  *MOS構造 ,  *X線光電子分光法 ,  *原子層エピタクシー ,  ハフニウム化合物 ,  酸化ジルコニウム ,  誘電体薄膜 ,  薄膜成長 ,  曲線 ,  ヒステリシス ,  温度依存性 ,  スイッチングトランジスタ ,  ヒステリシスループ ,  強誘電体FET ,  強誘電体薄膜
準シソーラス用語： 強誘電薄膜 ,  原子層成長法

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 実験 ,  DEC ,  FET ,  見通し