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J-GLOBAL ID：201602200955907783   整理番号：16A0004089

不揮発性メモリ用の最大及び最小のHamming距離を制限する符号生成

Code Generation Limiting Maximum and Minimum Hamming Distances for Non-Volatile Memories

著者 (4件)： KOJO Tatsuro (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.) ,  TAWADA Masashi (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.) ,  YANAGISAWA Masao (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.) ,  TOGAWA Nozomu (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.)
資料名： IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web)  (IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web))
巻： E98.A  号： 12  ページ： 2484-2493 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0466A  ISSN： 1745-1337  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリ内に貯蔵されたデータは,混信及び照射によって破壊されることがあるが,誤り訂正符号を使うことによって,それらのデータを復元できる。しかし,不揮発性メモリは書き込みに大量のエネルギーを消費する。誤り訂正符号を使っていても,最大書き込みビットを如何に減らすかが不揮発性メモリ設計での挑戦的課題の一つである。本稿では最初に,最大及び最小のHamming距離を制限する状態符号化をベースにしたドーナツ符号を提案した。その後,符号拡張手法を提案した。この手法は,最大及び最小のHamming距離を改良した。提案した符号拡張手法をドーナツ符号に適用したとき,最大反転ビットを減らし,Hamming符号と同じ誤り訂正能力を持った符号を得ることができた。実験結果は,提案した符号が最大書き込みビットの数を効率的に減らすことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Hamming距離 ,  *不揮発性メモリ ,  誤り訂正符号 ,  データ書込 ,  *エネルギー消費 ,  符号 ,  拡大 ,  データ型
準シソーラス用語： ビットパターン ,  拡張 ,  *消費エネルギー

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  符号理論  (ND02030R)

引用文献 (13件)：

• [1] T. Austin, E. Larson, and D. Ernst, “SimpleScalar: An infrastructure for computer system modeling,” Computer, vol.35, no.2, pp.59-67, 2002.
• [2] T.D. Burd and R.W. Brodersen, “Energy efficient design,” in Energy Efficient Microprocessor Design, pp.7-44, Springer Science & Business Media, New York, 2012.
• [3] J. Chen, R.C. Chiang, H.H. Huang, and G. Venkataramani, “Energy-aware writes to non-volatile main memory,” ACM SIGOPS Operating Systems Review, vol.45, no.3, pp.48-52, 2012.
• [4] S. Cho and H. Lee, “Flip-N-Write: a simple deterministic technique to improve PRAM write performance, energy and endurance,” Proc. 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture, Micro 42, pp.347-357, 2009.
• [5] X. Dong, X. Wu, G. Sun, Y. Xie, H. Li, and Y. Chen, “Circuit and microarchitecture evaluation of 3D stacking magnetic RAM (MRAM) as a universal memory replacement,” Proc. 45th Annual Conference on Design Automation, DAC'08, pp.554-559, 2008.

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリ ,  Hamming距離 ,  制限 ,  符号