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J-GLOBAL ID：201602201238593630   整理番号：16A0213528

半導体を用いた水素生成技術

Hydrogen generation technologies using semiconductor materials

著者 (1件)： 加藤正史 (名古屋工大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 85  号： 2  ページ： 100-104  発行年： 2016年02月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 温室効果ガスを排出しないエネルギー源である水素を燃料とした社会インフラの普及が進んでいるが,現状では水素の製造時に温室効果ガスを排出しているという課題がある。この課題を解決する手段として,太陽光のエネルギーを利用した水分解による水素生成技術がある。中でも半導体光触媒で構成した電極(光電極)の光電気化学反応を利用した水素生成技術は,現時点で最も実用化に近いものと考えられる。本稿では半導体光電極を用いた太陽光による水素生成技術の原理と最近の研究状況を解説し,さらに筆者らが取り組んでいる立方晶シリコンカーバイド光電極を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *水素発生反応 ,  温室効果ガス ,  分解反応 ,  *光触媒 ,  光電気化学反応 ,  *光電極 ,  炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  酸化チタン ,  酸化第一銅
準シソーラス用語： 水素生成 ,  *水分解

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

引用文献 (56件)：

• W. Grochala and P.P. Edwards: Chem. Rev. 104, 1283 (2004).
• I. Akkerman, M. Janssen, J. Rocha, and R.H. Wijffels: Int. J. Hydrogen Energy 27, 1195 (2002).
• K. Maeda and K. Domen: J. Phys. Chem. Lett. 1, 2655 (2010).
• T. Bak, J. Nowotny, M. Rekas, and C.C. Sorrell: Int. J. Hydrogen Energy 27, 991 (2002).
• 阿部竜:応用物理83,112(2014).

タイトルに関連する用語 (1件)： 水素生成