文献

J-GLOBAL ID：201602201596840453   整理番号：16A0380181

PEALDリン添加ケイ酸塩ガラスによる拡張ドーピングを用いるNMOS Siバルク-FinFETのための斬新な接合の設計

Novel Junction Design for NMOS Si Bulk-FinFETs with Extension Doping by PEALD Phosphorus Doped Silicate Glass

著者 (18件)： SASAKI Y. (imec) ,  RITZENTHALER R. (imec) ,  KIMURA Y. (ASM, Tokyo, JPN) ,  DE ROEST D. (ASM, Leuven, BEL) ,  SHI X. (imec) ,  DE KEERSGIETER A. (imec) ,  KIM M. S. (imec) ,  CHEW S. A. (imec) ,  KUBICEK S. (imec) ,  SCHRAM T. (imec) ,  KIKUCHI Y. (imec) ,  DEMUYNCK S. (imec) ,  VELOSO A. (imec) ,  VANDERVORST W. (imec) ,  HORIGUCHI N. (imec) ,  MOCUTA D. (imec) ,  MOCUTA A. (imec) ,  THEAN A. V-Y. (imec)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 596-599  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETの電流容量性能を増強するための,NMOS Siのバルク-FinFET拡張ドーピングにPSG(リン添加ケイ酸塩ガラス)を利用する方法を考案した。デバイス形状はフィン幅5nm,ゲート長30~24nmである。高ドープPSGとSiO₂キャップがSi中にリンの高濃度化を実現する必要条件である。PSG/SiO₂キャップエッチングの迅速処理,FinFETのフィン側壁処理などに工夫をこらした。Pイオン注入した試料と比較して同程度のI_offと優れたドレイン誘導障壁低下(DIBL)傾向が得られた。

シソーラス用語： *ケイ酸塩ガラス ,  *プラズマ処理 ,  プラズマ曝露 ,  プラズマ加工 ,  リン ,  *添加物効果 ,  *NMOS構造 ,  ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  実装設計 ,  設計 ,  固体素子 ,  フィン ,  形状効果 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *FinFET ,  NMOS ,  素子設計

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： リン ,  ケイ酸塩ガラス ,  拡張 ,  ドーピング ,  NMOS ,  Si ,  バルク ,  FinFET ,  設計