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J-GLOBAL ID：201602201927237043   整理番号：16A0005383

非晶質InGaZnO薄膜トランジスタのゲートパルス誘起劣化の研究

An Investigation of Gate Pulse Induced Degradation in a-InGaZnO Thin Film Transistors

著者 (4件)： KIM Byeong-Jun (Korea Aerospace Univ., KOR) ,  SEO Jong-Hyun (Korea Aerospace Univ., KOR) ,  CHOE Heehwan (Korea Aerospace Univ., KOR) ,  JEON Jae-Hong (Korea Aerospace Univ., KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 15  号： 10  ページ： 7559-7563  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化インジウム・ガリウム・亜鉛(a-InGaZnO)薄膜トランジスタ(TFT)の劣化に及ぼすパルスゲートバイアスの効果を調べた。0Vと20Vから成る波形では劣化は起らなかったが,-20Vと0Vから波形では伝達特性でのターンオン電流にかなりの劣化が生じた。電荷トラッピングの通常のモデルとは異なる可能な劣化モデルを提案した。提案したモデルはソースとドレイン電極近傍でのアクセプタ的状態の増加に関係していて,異常な劣化挙動を説明できた。

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  インジウム化合物 ,  *薄膜トランジスタ ,  特性 ,  キャリア捕獲 ,  劣化 ,  バイアス ,  不安定性 ,  非晶質半導体 ,  電流
準シソーラス用語： ゲートバイアス ,  伝達特性 ,  *電荷トラッピング ,  ターンオン電流 ,  *IGZO【半導体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  トランジスタ ,  ゲート ,  パルス ,  誘起 ,  研究