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J-GLOBAL ID：201602201970844220   整理番号：15A1302055

AlGaN/GaNH EMTの表面状態と関係する遅れ特性に及ぼすフィールドプレートの影響【Powered by NICT】

Influence of field plate on surface-state-related lag characteristics of AlGaN/GaN HEMT

著者 (2件)： Lei Yong (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing Univ. of Information Sci. and Technol., Nanjing) ,  Lu Hai (School of Electronic Sci. and Engineering, Nanjing Univ., Nanjing)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 7  ページ： 074007-01-074007-04  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNH EMTゲートフィールドプレート(FP)と表面状態と関係するゲートラグ現象の間の関係を,二次元数値過渡シミュレーションにより研究した電流コラプスに及ぼすFPの影響の機構を研究することである。シミュレーションは,フィールドプレートを添加電流崩壊の程度に顕著な影響を及ぼす,経過時間に影響を及ぼさないことを明らかにした。FPは,ゲートとドレインの間にAlGaN表面に隣接する自由正孔蓄積を強化することによる表面状態のイオン化確率を減少させることにより電流崩壊を抑制することが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電流 ,  正孔 ,  二次元 ,  イオン化 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： 電流コラプス ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlGaN ,  EMT ,  遅れ ,  フィールド