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J-GLOBAL ID：201602202026553031   整理番号：15A1302338

2次元ひ素層状半導体いとこ黒りんの間接-直接バンドギャップ遷移【Powered by NICT】

Indirect-direct band gap transition of two-dimensional arsenic layered semiconductors-cousins of black phosphorus

著者 (3件)： Luo Kun (East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai) ,  Chen Shiyou (East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai) ,  Duan Chungang (East China Normal Univ. Key Lab. of Polar Materials and Devices (MOE), Shanghai)
資料名： Science China. Physics, Mechanics & Astronomy  (Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)
巻： 58  号： 8  ページ： 087301-1-087301-7  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2587A  ISSN： 1674-7348  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ひだ状ハニカム構造における単層ヒ素は最近安定な二次元層状半導体であると予測された,従ってarseneneを命名した。残念なことに,それは間接バンドギャップ,その実用的な応用を制限するを持っている。第一原理計算を用いて,数層のひ素のバンドギャップはひ素層の数(n)は1から2に増加すると間接-直接遷移を持つことを示した。nが2から無限大まで増加するにつれて,ひだ状ハニカムひ素層の積層は斜方晶系ヒ素結晶εとして,arsenolamprite),黒りんに類似した構造を形成し,また直接バンドギャップを有していた。間接-直接遷移は異なる波動関数分布を持つ間接および直接バンド端状態に明確な量子閉じ込め効果に起因する。これらの電子状態に及ぼす歪効果も調べ,面内歪は間接および直接バンド端の非常に異なるシフトを誘導することを示し,このようにしても間接-直接バンドギャップ遷移を誘導する。歪に対するバンドギャップ依存性は非単調であり,正と負の変形ポテンシャルの両方であった。arseneneのギャップはAs p-pバンド間の開くが,スピン-軌道相互作用はわずか0.02eであり,s-pバンドギャップを持つGaAsの減少よりはるかに小さいによるギャップを減少させた。ハイブリッド汎関数を用いてarseneneとεとしての計算されたバンドギャップはそれぞれ1.4と0.4Vであり,ホスホレンと黒りんのそれに匹敵した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヒ素 ,  *バンド ,  波動関数 ,  スピン-軌道相互作用 ,  ハニカム構造 ,  ラメラ ,  ヒ化ガリウム ,  量子閉込め ,  *バンドギャップ ,  変形ポテンシャル ,  *半導体
準シソーラス用語： 直接遷移 ,  第一原理計算 ,  間接バンドギャップ ,  *直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2次元 ,  ひ素 ,  層状 ,  黒りん ,  間接 ,  直接バンドギャップ ,  遷移