文献

J-GLOBAL ID：201602202408018250   整理番号：16A0004090

不揮発性メモリ用のECCベースビット書き込み縮減符号の生成

ECC-Based Bit-Write Reduction Code Generation for Non-Volatile Memory

著者 (4件)： TAWADA Masashi (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.) ,  KIMURA Shinji (Graduate School of Infomation, Production and Systems, Waseda Univ.) ,  YANAGISAWA Masao (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.) ,  TOGAWA Nozomu (Dept. of Computer Sci. and Communications Engineering, Waseda Univ.)
資料名： IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web)  (IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences (Web))
巻： E98.A  号： 12  ページ： 2494-2504 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0466A  ISSN： 1745-1337  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリは,高密度及び低漏れ電力のような多くの利点を持っているが,SRAMよりも大きな書き込みエネルギーを消費する。不揮発性メモリの設計では書き込みエネルギーを減らすことが大いに必要である。本稿では,誤り訂正符号をベースに書き込み縮減符号を提案し,書き込みビット数を減らすことによって,不揮発性メモリでの書き込みエネルギーを減らした。データをメモリセルに書き込んだとき,直接書き込まずに符号語に符号化した。著者等の書き込み縮減符号では,各データを誤り訂正符号中の情報ベクトルに対応させて,情報ベクトルは単一の符号語ではなく書き込み縮減符号語の組み合わせに対応する。与えられた書き込みデータと進行中のメモリを,書き込むべきデータに対応して書き込み縮減符号語を確定論的に選択できて,ここで,反転するビットの最大数は理論的に最小化する。そして,メモリセルに書き込むビット数も最小化する。実験結果は,非符号化メモリと比べて,平均51%の書き込みビット縮減と平均33%のエネルギー縮減を達成したことを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誤り訂正符号 ,  *不揮発性メモリ ,  データ書込 ,  縮小 ,  エネルギー消費 ,  *最適化
準シソーラス用語： *ECC【コード】 ,  *エネルギー最小化 ,  縮減 ,  消費エネルギー ,  符号語

分類 (2件)： 符号理論  (ND02030R) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (13件)：

• [1] T. Austin, E. Larson, and D. Ernst, “SimpleScalar: An infrastructure for computer system modeling,” Computer, vol.35, no.2, pp.59-67, 2002.
• [2] T.D. Burd and R.W. Brodersen, “Energy Efficient Design,” in Energy Efficient Microprocessor Design, pp.7-44, Springer Science and Business Media, New York, 2002.
• [3] J. Chen, R.C. Chiang, H.H. Huang, and G. Venkataramani, “Energy-aware writes to non-volatile main memory,” ACM SIGOPS Operating Systems Review, vol.45, no.3, pp.48-52, 2012.
• [4] S. Cho and H. Lee, “Flip-N-Write: A simple deterministic technique to improve PRAM write performance, energy and endurance,” Proc. 42nd Annual IEEE/ACM International Symposium on Microarchitecture, Micro 42, pp.347-357, 2009.
• [5] X. Dong, X. Wu, G. Sun, Y. Xie, H. Li, and Y. Chen, “Circuit and microarchitecture evaluation of 3D stacking magnetic RAM (MRAM) as a universal memory replacement,” Proc. 45th Annual Conference on Design Automation, DAC'08, pp.554-559, 2008.

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性メモリ ,  ECC ,  ベースビット ,  書き込み ,  縮減 ,  符号