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J-GLOBAL ID：201602203353595046   整理番号：16A0188602

高速応用のための無接合ダブルゲートMOSFETの解析とシミュレーション

Analysis and Simulation of a Junctionless Double Gate MOSFET for High-speed Applications

著者 (1件)： HOSSEINI Reza (Khoy Branch, Islamic Azad Univ., Khoy, IRN)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 67  号： 9  ページ： 1615-1618  発行年： 2015年11月13日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *FET【トランジスタ】 ,  *シミュレーション ,  相互コンダクタンス ,  遅れ
準シソーラス用語： *ダブルゲートMOSFET ,  *無接合FET ,  金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  デバイスシミュレーション ,  トランスコンダクタンス ,  *伝搬遅延

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応用 ,  ダブルゲートMOSFET ,  解析 ,  シミュレーション