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J-GLOBAL ID:201602203425816735   整理番号:16A0178771

高い耐放射線特性をもつ冷陰極真空管型撮像素子

Radiation tolerant vacuum image sensors with a cold cathode array
著者 (1件):
資料名:
巻: 85  号:ページ: 15-20  発行年: 2016年01月10日 
JST資料番号: F0252A  ISSN: 0369-8009  CODEN: OYBSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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原子炉内などの高放射線環境下での撮像が求められている。真空管である撮像管は半導体撮像デバイスより耐放射線特性に優れている。しかし,従来の撮像管には熱陰極が使われているため,小型・軽量・低消費電力化が困難である。近年,微細加工技術を用いて,冷陰極である電界放出微小電子源アレイ(FEA)の開発が行われている。熱陰極の代わりにFEAを用いると,撮像管の長所を保ちながら,その欠点を克服したFEA平面撮像管を開発できる。本稿では,FEA平面撮像管の研究動向を紹介するとともに,平面撮像管用の電界集束電界放出微小電子源の動向についても紹介する。(著者抄録)
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分類 (2件):
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放射線による構造と物性の変化一般  ,  光電変換管 
引用文献 (24件):
  • 光電変換膜としてCdSe-CdSeO3-As2S3を用いた撮像管.木内雄二:イメージセンサ-画嫁情報をとらえる電子の目,p.113(日刊工業新聞社,1978).
  • 光電変換膜としてSb2S3を用いた撮像管.木内雄二:イメージセンサ画像情報をとらえる電子の目,p.110(日刊工業新聞社,1978).
  • 三村秀典,横尾邦義:応用物理71,1391(2002).
  • 三村秀典:応用物理78,301(2009).
  • Y. Neo, Y. Ikeda, T. Sakata, H. Morii, K. Shiozawa, T. Aoki, and H. Mimura: J. Vac. Sci. Technol. B 25, 643 (2007).
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