文献
J-GLOBAL ID：201602204347858855   整理番号：13A1480184

Effects of ion bombardment on microcrystalline silicon growth by inductively coupled plasma assistant magnetron sputtering

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著者 (5件)：
He Yangyang

He Yangyang について

(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)

School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian について

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Su Yuanjun

Su Yuanjun について

(Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ...)

Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ... について

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Zhu Ming

Zhu Ming について

(Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ...)

Dalian Univ. of Technol. Key Lab. of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams,Ministry of Education ... について

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Cao Baosheng

Cao Baosheng について

(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)

School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian について

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Dong Bin

Dong Bin について

(School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian)

School of Physics and Materials Engineering,Dalian Nationalities Univ., Dalian について


資料名：
Science China. Physics, Mechanics & Astronomy  (Science China. Physics, Mechanics & Astronomy)

Science China. Physics, Mechanics & Astronomy について


巻： 55  号： 11  ページ： 2070-2075  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2587A  ISSN： 1674-7348  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

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