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J-GLOBAL ID：201602205183234275   整理番号：16A0283235

n型ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンドデバイスの耐X線・γ線特性

著者 (8件)： 大谷亮太 (物質・材料研究機構) ,  LIAO Meiyong (物質・材料研究機構) ,  上野克宜 (日立) ,  佐々木敬介 (日立) ,  田所孝広 (日立) ,  坪田雅功 (北大) ,  金子純一 (北大) ,  小泉聡 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.21P-P3-5  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *放射化検出器 ,  X線 ,  γ線 ,  *プラズマCVD ,  *マイクロ波プラズマCVD ,  *ダイヤモンド膜
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイヤモンド薄膜 ,  ダイヤモンド ,  X線 ,  γ線