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J-GLOBAL ID：201602205351078829   整理番号：16A0181291

ポリイミド基板上に作製したフレキシブルIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ及び負のバイアス照明応力下で機械的に誘起した不安定性

Flexible In-Ga-Zn-O thin-film transistors fabricated on polyimide substrates and mechanically induced instability under negative bias illumination stress

著者 (5件)： PARK Jozeph (KAIST, Daejeon, KOR) ,  KIM Chang-Sun (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  AHN Byung Du (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  RYU Hojun (Electronic and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KIM Hyun-Suk (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Electroceramics  (Journal of Electroceramics)
巻： 35  号： 1/4  ページ： 106-110  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1123A  ISSN： 1385-3449  CODEN： JOELFJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ポリイミド ,  フレキシブル基板 ,  *薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  照明 ,  *不安定性 ,  *ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  化合物半導体 ,  応力 ,  歪 ,  空格子点 ,  酸素 ,  キャリア捕獲 ,  電荷 ,  イオン化
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  酸素空孔

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： ポリイミド ,  作製 ,  In-Ga-Zn-O ,  薄膜トランジスタ ,  バイアス ,  照明 ,  応力 ,  誘起 ,  不安定性