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J-GLOBAL ID：201602205560388185   整理番号：16A0188772

高kゲート誘電体材料を用いたアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタに関する境界面の研究

Interface Study on Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors Using High-k Gate Dielectric Materials

著者 (2件)： LIN Yu-Hsien (National United Univ., Miaoli, TWN) ,  CHOU Jay-Chi (National United Univ., Miaoli, TWN)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2015  ページ： 782786 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ケイ素(Si₃N₄)や酸化アルミニウム(Al₂O₃)などの高kゲート誘電体材料を用い(<300°Cの)低温プロセスでアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を研究し,これらを低温2酸化けい素(SiO₂)と比較した。この高kゲート誘電体材料を用いたIGZOデバイスは大量のチャネルキャリアを誘起する高ゲートキャパシタンス密度を持つこと,またより高い駆動電流を生成することが期待された。更に,集積IGZOデバイスの集積工程において,ポストアニーリング処理は工程完了に不可欠の工程である。高k・IGZO材料中の熱形成に起因する高k・IGZO境界面の化学反応は信頼性の課題を残す。各種の高k誘電体材料を用いたデバイスの信頼性試験に電圧ストレスを用い,また境界面効果を電荷バンド図で説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  半導体プロセス ,  界面 ,  信頼性
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  アモルファス ,  高k誘電体 ,  低温プロセス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  誘電体材料 ,  亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  境界面 ,  研究