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J-GLOBAL ID：201602205838276243   整理番号：16A0053248

バルクGaN上の接合形電界効果トランジスタとGaN p-nダイオードの極低温までの特性化

Characterization of vertical GaN p-n diodes and junction field-effect transistors on bulk GaN down to cryogenic temperatures

著者 (2件)： KIZILYALLI I C (Avogy Inc., CA, USA) ,  AKTAS O (Avogy Inc., CA, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 12  ページ： 124001,1-8  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  PN接合 ,  *接合形FET ,  *ダイオード ,  極低温 ,  キャラクタリゼーション ,  パワーエレクトロニクス ,  素子構造 ,  キャリア密度 ,  接触抵抗 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *電力ダイオード ,  比接触抵抗

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  GaN ,  電界効果トランジスタ ,  ダイオード ,  極低温 ,  特性化