文献

J-GLOBAL ID：201602205932401680   整理番号：16A0168692

Geant4コードを用いた陽電子後方散乱とイオン注入後の分布プロフィールのシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of positron backscattering and implantation profiles using Geant4 code

著者 (5件)： Huang Shijuan (Dep. of Modern Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Particle Detection and Electronics, Hefei) ,  Pan Ziwen (Dep. of Modern Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Particle Detection and Electronics, Hefei) ,  Liu Jiandang (Dep. of Modern Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Particle Detection and Electronics, Hefei) ,  Han Rongdian (Dep. of Modern Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Particle Detection and Electronics, Hefei) ,  Ye Bangjiao (Dep. of Modern Physics, Univ. of Sci. and Technol. of China State Key Lab. of Particle Detection and Electronics, Hefei)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 10  ページ： 107803-1-107803-8  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低速陽電子ビーム法で作成した実験データの適切な解釈のために,陽電子注入特性は最新Geant4コードを用いて注意深く調べた。シミュレートされた後方散乱係数,注入プロフィル,及び異なる結晶に対する垂直入射1keVから50keVまでのエネルギー範囲の単色陽電子の中央値注入深さを報告した。以前の実験結果と比較し,本シミュレーションの後方散乱係数は合理的に一致し,精度はGeant4コードにおけるホスト材料の構造に関連する可能性があると考えている。合理的なシミュレートされた後方散乱係数に基づいて,材料と注入エネルギーに依存する注入プロフィルの調整可能なパラメータを取得した。最も重要な点は,我々は初めて高性能アモルファスポリマーにおける陽電子後方散乱係数と中央値注入深さを計算し,著者らのシミュレーションは,以前の実験結果とかなり良く一致したことである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *後方散乱 ,  イオン注入 ,  中央値 ,  *陽電子
準シソーラス用語： 高性能化 ,  後方散乱係数 ,  低速陽電子ビーム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Geant4 ,  陽電子 ,  後方散乱 ,  イオン注入 ,  分布 ,  プロフィール ,  シミュレーション