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J-GLOBAL ID：201602207731287210   整理番号：15A1302081

LXXXIII nm低雑音InPに基づくInAlAs/InGaAs PHEMTの設計と実装【Powered by NICT】

Design and implementation of 83-nm low noise InP-based InAlAs/InGaAs PHEMTs

著者 (10件)： Wang Zhiming (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Zhao Zhuobin (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing) ,  Hu Zhifu (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Huang Hui (National Inst. of Metrology, Beijing) ,  Cui Yuxing (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Sun Xiguo (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Mo Jianghui (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Li Liang (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Fu Xingchang (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang) ,  Lu Xin (Beijing Inst. of Technol. Beijing Key Lab. of Millimeter Wave and Terahertz Technol., Beijing)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 8  ページ： 084002-01-084002-05  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたDCおよびRF性能と低雑音特性をnmのT形ゲートInP系(0.52)Al(0.48)As/In(0.65)Ga(0.35)As仮像高電子移動度トランジスタ(PHEMT)では,報告されている,1から110GHzまでの測定したSパラメータに基づいた392GHzの最大飽和電流密度(DSS)894mA/mm,1640mS/mmの最大外因性相互コンダクタンスg(m,max),247GHzの外挿した遮断周波数f_tと最大発振周波数f(max)を含む。低熱源法により測定された最小雑音指数(NF(分))は,17mAの0.8Vの(ds)とI(ds)で14.5dBの利得と30GHzで-1dBである。これらの結果は,チャネル,ゲートサイズスケーリング,寄生還元と量子化チャネルにおける増加したInAsモル分率の組合せにより得られた。これらの優れた結果は,ミリ波(MMW)低雑音応用のための最も適切な素子の一つになっている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 仮像 ,  相互コンダクタンス ,  雑音指数 ,  *HEMT ,  遮断周波数 ,  EHF波 ,  利得 ,  量子化 ,  雑音特性 ,  チャネル
準シソーラス用語： 発振周波数 ,  飽和電流 ,  Sパラメータ ,  *PHEMT ,  *低雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低雑音 ,  InP ,  InAlAs ,  InGaAs ,  PHEMT ,  設計 ,  実装