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J-GLOBAL ID：201602209380412148   整理番号：16A0169008

UTBOX SOI nMOSFETにおけるシリコン膜に関係したランダム電信雑音【Powered by NICT】

Silicon-film-related random telegraph noise in UTBOX silicon-on-insulator nMOSFETs
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著者 (7件)：
Fang Wen

Fang Wen について

(IMEC, Kapeldreef 75 Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated Technol., Chinese Acad. of Sciences, Belgium ...)

IMEC, Kapeldreef 75 Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated Technol., Chinese Acad. of Sciences, Belgium ... について

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Eddy Simoen

Eddy Simoen について

(IMEC, Kapeldreef 75, Belgium, Leuven)

IMEC, Kapeldreef 75, Belgium, Leuven について

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Li Chikang

Li Chikang について

(Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical, Engineering, National Taiwan Univ., Taiwan)

Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics and Dep. of Electrical, Engineering, National Taiwan Univ., Taiwan について

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Marc Aoulaiche

Marc Aoulaiche について

(Micron Technol. Belgium, IMEC Campus, Belgium, Leuven)

Micron Technol. Belgium, IMEC Campus, Belgium, Leuven について

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Luo Jun

Luo Jun について

(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated ...)

Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated ... について

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Zhao Chao

Zhao Chao について

(Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated ...)

Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated ... について

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Cor Claeys

Cor Claeys について

(IMEC, Kapeldreef 75 Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated Technol., Chinese Acad. of Sciences, Belgium ...)

IMEC, Kapeldreef 75 Key Lab. of Microelectronic Devices & Integrated Technol., Chinese Acad. of Sciences, Belgium ... について


資料名：
Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)

Journal of Semiconductors について


巻： 36  号： 9  ページ： 94005-1-94005-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論文は超薄埋め込み酸化物(UTBOX)シリコンオンインシュレータ(SOI)素子のシリコン膜における単一トラップに起因するランダム電信雑音(RTN)の振幅を検討した。膜の欠陥に関連したRTNは,低周波雑音測定と時間領域測定により同定し,解析した。相対振幅ΔI_D/I_D,フロントゲート,ゲートとドレインバイアスの関数で研究した。交換ソースおよびドレインの興味ある非対称または対称V(Ds)依存性は較正されたSentaurusシミュレーションで観察され,裏付けされた。ソースとドレインのV(DS)依存性の非対称性は,ソースとドレインに沿った横方向トラップ位置に関連していると信じられている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ドレイン【半導体】

ドレイン【半導体】 について

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非対称性

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埋込み【写像】

埋込み【写像】 について

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シミュレーション

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酸化物

酸化物 について

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*ケイ素

ケイ素 について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*nMOSFET

nMOSFET について

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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SOI

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nMOSFET

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シリコン膜

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, 
電信雑音

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