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J-GLOBAL ID：201602209683307355   整理番号：16A0281907

自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価

著者 (5件)： 高野紘平 (上智大 理工) ,  荻野雄大 (上智大 理工) ,  朝倉啓太 (上智大 理工) ,  和保孝夫 (上智大 理工) ,  下村和彦 (上智大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.20P-P7-2  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *触媒 ,  *VLS成長 ,  *化合物半導体 ,  構造 ,  *ナノワイヤ ,  光学的性質 ,  コアシェル構造 ,  *自己触媒 ,  III-V半導体
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  光学特性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己触媒 ,  InP ,  GaInAs ,  光学特性評価