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J-GLOBAL ID:201602209683307355   整理番号:16A0281907

自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価

著者 (5件):
資料名:
巻: 63rd  ページ: ROMBUNNO.20P-P7-2  発行年: 2016年03月03日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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