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J-GLOBAL ID：201602210183882386   整理番号：16A0106140

光応答性Ag₆M₂O₇(M=Si,Ge)の電子構造

Electronic structure of photoresponsive Ag₆M₂O₇ (M = Si, Ge)

著者 (8件)： OBUKURO Yuki (Interdisciplinary Graduate School of Agriculture and Engineering, Univ. of Miyazaki) ,  NINOMIYA Kakeru (Dep. of Creative Engineering, National Inst. of Technol. (NIT), Kitakyushu Coll.) ,  MATSUSHIMA Shigenori (Dep. of Creative Engineering, National Inst. of Technol. (NIT), Kitakyushu Coll.) ,  NAKAMURA Hiroyuki (Dep. of Creative Engineering, National Inst. of Technol. (NIT), Kitakyushu Coll.) ,  OBATA Kenji (Dep. of Creative Engineering, National Inst. of Technol. (NIT), Kitakyushu Coll.) ,  SAKAI Go (Dep. of Environmental Robotics, Fac. of Engineering, Univ. of Miyazaki) ,  ARAI Masao (Computational Materials Sci. Unit (CMSU), National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  KOBAYASHI Kenkichiro (Dep. of Materials Sci. and Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Shizuoka Univ.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 124  号： 1  ページ： 116-121 (J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag₆M₂O₇(M=Si,Ge)の電子構造を局所密度近似(LDA)相関と組み合わせた改良Becke-Johnson(MBJ)ポテンシャルを用いて,スカラー相対論的フルポテンシャル線形化増強平面波プラス局所軌道(FLAPW+lo)法により調べた。Ag₆M₂O₇(M=Si,Ge)の場合,価電子帯頂上(VBM)はX(Si)又はA(Ge)に,伝導帯の底(CBM)はΓにほぼ位置し,いずれもAg₆M₂O₇が間接的エネルギーギャップ材料であることを示す。Ag₆Si₂O₇とAg₆Ge₂O₇の基本的なバンドギャップはMBJ-LDA計算で各々1.69と1.42eVと計算された。結果は,一般化勾配近似(GGA)計算に基づいた過小評価とは著しく対照的であった。一方,MBJ-LDAとGGA近似の間で,VBMとCBM近傍の光生成した正孔と電子の有効質量に明確な違いはなかった。Ag₆M₂O₇(M=Si,Ge)の光学特性を複素誘電関数ε(ω)=ε₁(ω)+iε₂(ω)のスペクトル依存性から検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *銀化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *電子構造 ,  近似法 ,  ポテンシャル ,  APW法 ,  *バンド構造 ,  密度汎関数法 ,  *エネルギーギャップ ,  バンドギャップ ,  *応答 ,  光照射 ,  誘電関数 ,  計算 ,  *ab initio法 ,  第一原理 ,  複素誘電関数 ,  第一原理計算 ,  FPLAPW法
準シソーラス用語： ab initio計算 ,  FLAPW法 ,  局所密度近似 ,  *光応答

分類 (1件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

引用文献 (18件)：

• 1) A. Fujishima and K. Honda, Nature, 238, 37–38 (1972).
• 2) M. Bejblová, D. Procházková and J. Cejka, J. Chem. Sus. Chem., 2, 486–499 (2009).
• 3) Z. Lou, B. Huang, Z. Wang, X. Ma, R. Zhang, X. Zhang, X. Qin, Y. Dai and M. H. Whangbo, Chem. Mater., 26, 3873–3875 (2014).
• 4) C. Linke and M. Jansen, Z. Anorg. Allg. Chem., 622, 486–493 (1996).
• 5) F. Tran and P. Blaha, Phys. Rev. Lett., 102, 226401 (2009).

タイトルに関連する用語 (3件)： 光応答 ,  Ge ,  電子構造