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J-GLOBAL ID：201602211190482560   整理番号：16A0055909

シリコン上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs量子ドットレーザの信頼性

Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon

著者 (6件)： LIU Alan Y. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  HERRICK Robert W. (Intel Corp., CA, USA) ,  UEDA Osamu (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  PETROFF Pierre M. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  GOSSARD Arthur C. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  BOWERS John E. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 21  号： 6  ページ： RONBUNNO.1900708  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge/Si基板上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs自己集合量子ドット(QD)レーザの信頼性を初めて報告する。30°Cでの低電流動作で2700時間以上のCWレーザ動作を実現し,平均故障時間の外挿値は4600時間となった。突然死は観測されなかった。劣化は再結合増強転位上昇による既存の転位の遅い成長に伴うと考えられるが,他の要因も除外できない。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子ドットレーザ ,  *信頼性 ,  時間 ,  上昇 ,  自己集合 ,  *ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  転位密度 ,  Fabry-Perot共振器 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  寿命試験 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 転位上昇 ,  平均故障時間

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  エピタキシャル成長 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドットレーザ